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SKM300GAR12E4西门康

IGBT绝缘栅双极型晶体管是一种典型的双极MOS复合型功率器件。它结合功率MOSFET的工艺技术，将功率MOSFET和功率管GTR集成在同一个芯片中。该器件具有开关频率高、输入阻抗较大、热稳定性好、驱动电路简单、低饱和电压及大电流等特性，被作为功率器件广泛应用于工业控制、电力电子系统等领域（例如：伺服电机的调速、变频电源）。为使我们设计的系统能够更安全、更可靠的

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IGBT绝缘栅双极型晶体管是一种典型的双极MOS复合型功率器件。它结合功率MOSFET的工艺技术，将功率MOSFET和功率管GTR集成在同一个芯片中。该器件具有开关频率高、输入阻抗较大、热稳定性好、驱动电路简单、低饱和电压及大电流等特性，被作为功率器件广泛应用于工业控制、电力电子系统等领域(例如：伺服电机的调速、变频电源)。为使我们设计的系统能够更安全、更可靠的工作，对IGBT的保护显得尤为重要。

　　目前，在使用和设计IGBT的过程中，基本上都是采用粗放式的设计模式——所需余量较大，系统庞大，但仍无法抵抗来自外界的干扰和自身系统引起的各种失效问题。瞬雷电子公司利用在半导体领域的生产和设计优势，结合瞬态抑制二极管的特点，在研究IGBT失效机理的基础上，通过整合系统内外部来突破设计瓶颈。本文将突破传统的保护方式，探讨IGBT系统电路保护设计的解决方案。

西门康SEMIKRON进口原装IGBT模块

SKM300GAR12E4

IGBT绝缘栅双极型晶体管是一种典型的双极MOS复合型功率器件。它结合功率MOSFET的工艺技术，将功率MOSFET和功率管GTR集成在同一个芯片中。该器件具有开关频率高、输入阻抗较大、热稳定性好、驱动电路简单、低饱和电压及大电流等特性，被作为功率器件广泛应用于工业控制、电力电子系统等领域(例如：伺服电机的调速、变频电源)。为使我们设计的系统能够更安全、更可靠的工作，对IGBT的保护显得尤为重要。

　　目前，在使用和设计IGBT的过程中，基本上都是采用粗放式的设计模式——所需余量较大，系统庞大，但仍无法抵抗来自外界的干扰和自身系统引起的各种失效问题。瞬雷电子公司利用在半导体领域的生产和设计优势，结合瞬态抑制二极管的特点，在研究IGBT失效机理的基础上，通过整合系统内外部来突破设计瓶颈。本文将突破传统的保护方式，探讨IGBT系统电路保护设计的解决方案。

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