一.行业应用概述
多晶硅是单质硅的一种形态。是当代人工智能、自动控制、信息处理、光电转换等半导体器件的电子信息基础材料。多晶硅分为电子级和太阳能级。太阳能级的，是作为太阳能产业链的原料，用于铸锭或拉单晶硅棒，再切成硅片，生产成太阳能电池板，包括卫星、空间站上的太阳能帆板等，电子级多晶硅用于生产半导体材料，主要用于电子设备，芯片等集成电路上比较多。
二.应用领域特性
1.多晶硅铸锭炉主要用于太阳能级多晶硅锭的生产，它采用先进的多晶硅定向凝固技术,将硅料高温熔融后通过特殊工艺定向冷凝结晶,从而达到太阳能电池生产用多晶硅品质的要求，是一种适用于长时间连续工作，高精度、高可靠性、自动化程度高的智能化大生产设备。因而其配套的水冷加热变压器是关键器件，我公司配套的多晶硅铸锭炉专用大电流水冷变压器能够满足各种型号多晶硅铸锭炉的技术要求，单机满载参数3KA-30KA/20VAC-35VAC。
三、产品特性
1.产品概述
本公司生产的SGS、TSGS系列水冷变压器用作加热装置的水冷变压器，主要应用于多晶硅铸锭炉。该产品具有低损耗、低噪声、结构紧凑、供电可靠、抗冲击和抗短路能力强等优点，并可以根据客户要求定制多结构形式的变压器。
2.性能特点
2.1电气性能稳定：结合行业应用特点优化设计方案。精确的电气参数设计和科学的结构设计，保证产品的电气性能优良，高压线圈采用箔绕结构，低压线圈双饼式结构，采用轴向多风道结构，降低通风阻力，保证高效的通风和散热。
2.2动稳定程度高：产品绕组有较高的机械强度，具有较强的抗突发能力，以满足极恶劣的负载环境。
2.3热稳定性好：先进仿真计算，优化产品的发热部位及最热点温升，留有充分的温升裕度，选用进口杜邦公司N0mex-T410绝缘材料，保证产品绝缘和耐温的高可靠性。采用30Q120高导磁硅钢片，同时采用先进的多级步进多级叠片方式，有效降低了空载损耗、空载电流和噪声。在设计、制造过程中较好地消除了变压器大电流漏磁涡流引起局部发热问题，产品具有的可靠性。
2.4过载能力强：产品具有较强的过负载能力和过电压能力，产品设计、制造充分考虑用户工业电网和负载特性，电气性能、温升、绝缘耐压及附件选择等各方面均满足一定的过载要求。
2.5性能指标优越：空载电流设计、损耗指标制造值低于同容量国标系列变压器，充分考虑用户使用的经济性和可靠性。
2.6散热设计合理，采用强迫风冷或水冷散热。风冷散热，采用轴向多风道结构，降低通风阻力，保证高效的通风和散热。水冷散热，水冷管路设计安全可靠，进出水设计温差低于5℃，水流速设计值低于1.5m/s，工作压力设计值低于3bar,保证水冷系统工作的稳定可靠，主管路采用不锈钢管路或铜管路，满足防腐要求，出水嘴采用国际标准的密封螺纹，有效防止渗漏。分支连接管路采用耐高温尼龙纤维与橡胶复合管路或聚四氟乙烯管路，保证可靠的耐温耐压耐久性。
2.7可根据客户要求对变压器采用“三防漆”处理（防盐雾、防湿热、防霉菌），装饰性好，耐腐蚀性、保光性、保色性较好，有良好的流平性和遮盖力，结构简化，外形美观。
2.8变压器配温度保护装置，由高集成度、带总线通讯的高可靠开关电源模块等部件组成。是用于测量、控制、保护、通讯为一体化的一种经济型保护。
2.9优化设计，强化散热能力，降低变压器室空气温度，满足IP56等级的防护要求。
四.适用标准
1.GB1094.1－2013；电力变压器总则
2.GB1094.3-2013；绝缘水平、绝缘试验和外绝缘空气间隙
3.GB1094.11-2007；干式变压器
4.JB-T 8636-1997 ；电力变流变压器
5.GBT21419-2013；变压器、电抗器、电源装置及其组合的安全 电磁兼容要求
6.GBT10228-2008；干式电力变压器技术参数和要求
7.GB3859.3-1993; 半导体变流器 变压器和电抗器
8.JB/DQ2113－84《电化学用整流变压器》。
五.技术数据
1.使用条件
1.1海拔高度：不超过2000米,2000米以上每升高100米降额1%，3000米
1.2户内相对湿度：日平均≤95%，月平均≤90%
1.3环境温度：+40℃，40℃以上降额使用
1.4环境温度：-25℃
1.5系统额定频率：50-60Hz
1.6安装场所：户内柜内
1.7储存温度：-40℃-+70℃
1.8盐雾：≤0.5mg/m3
1.9机械活性物质：沙≤300mg/ m3,尘（漂浮）≤0.4mg/ m3, 尘（沉积）≤350mg/m2/天
1.10地面水平加速度与垂直加速度：≤0.25g /0.125g
2.外形尺寸图
3.主要参数和外形尺寸表
