美国 KRI 考夫曼公司新升级 Gridded KDC 系列离子源, 新的特性包含自对准离子光学和开关式电源控制. 考夫曼离子源 KDC 系列包含多种不同尺寸的离子源满足各类应用. 考夫曼离子源 KDC 提供一套完整的方案包含考夫曼离子源, 电子中和器, 电源供应器等等可以直接整合在各类真空设备中, 例如实验室小型研发, 镀膜机, load lock, 溅射系统, 卷绕镀膜机和线性镀膜.

美国 KRI 考夫曼离子源 KDC 特性：

通过加热灯丝产生电子

低电流高能量宽束型离子源

美国 KRI 考夫曼离子源 KDC 应用：

辅助镀膜(光学镀膜) IBAD

溅镀&蒸镀 PC

表面改性, 激活 SM

沉积 DD

离子溅射沉积和多层结构 IBSD

离子蚀刻 IBE

美国 KRI 考夫曼离子源 KDC 技术参数：

型号	KDC 10	KDC 40	KDC 75	KDC 100	KDC 160
Discharge 阳极	DC 电流	DC 电流	DC 电流	DC 电流	DC 电流
离子束流	>10 mA	>100 mA	>250 mA	>400 mA	>650 mA
离子动能	100-1200 V	100-1200 V	100-1200 V	100-1200 V	100-1200 V
栅极直径	1 cm Φ	4 cm Φ	7.5 cm Φ	12 cm Φ	16 cm Φ
离子束	聚焦, 平行, 散射
流量	1-5 sccm	2-10 sccm	2-15 sccm	2-20 sccm	2-30 sccm
通气	Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
典型压力	< 0.5m Torr	< 0.5m Torr	< 0.5m Torr	< 0.5m Torr	< 0.5m Torr
长度	11.5 cm	17.1 cm	20.1 cm	23.5 cm	25.2 cm
直径	4 cm	9 cm	14 cm	19.4 cm	23.2 cm
中和器	灯丝

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项专li. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国考夫曼离子源中国总代理.

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