详细摘要： 一般使用宽束的工业用KRI离子源，都会使用中和器来达到使用激发电子中和离子的目的。常用来做中和器的像是热灯丝，电浆桥，或是中空阴极。图

详细摘要： 上海伯东代理美国进口 KRI 霍尔离子源 eH200 是霍尔离子源型 eH 系列中尺寸最小, 低成本设计离子源. 霍尔离子源 eH200 适用于小型真空腔内, ...

详细摘要： KRI Ion Source 应用领域：无栅极等离子源技术----End-Hall 离子/等离子源有栅极离子源技术----RFICP 离子源----DC 离子源...

详细摘要： 上海伯东美国 KRI 考夫曼离子源提供中空阴极 e-Mission Hollow Cathodes 结构紧凑, 重量轻, 可以安装在离子源或真空系统的侧面, 相...

详细摘要： 上海伯东美国 KRI 考夫曼离子源提供多个类型的低能量高密度的电子源, 从简单的热电子灯丝模式到中空阴极模式,典型应用在等离子和离子工艺中的阴极和阳极中和器, ...

详细摘要： RFICP 140 是一款紧凑的有栅极离子源, 非常适用于离子束溅射沉积, 离子辅助沉积和离子束刻蚀. 在离子束溅射工艺中，射频离子源 RFICP 140 配有...

详细摘要： KRI 线性离子源使用标准的端部霍尔模组并使设备的需求简化, 一个低成本, 高电流和低能量的离子束可以很好的使用于 web 涂层, in-line 沉积和圆柱旋...

详细摘要： 尺寸: 直径= 9.7“ 高= 6"放电电压 / 电流: 50-300V / 20A操作气体: Ar, Xe, Kr, O2, N2, 有机前体

详细摘要： 上海伯东美国 KRI 射频离子源 RFICP 系列, 无需灯丝提供高能量, 低浓度的离子束, 通过栅极控制离子束的能量和方向, 单次工艺时间更长! 射频源 RF...

详细摘要： 上海伯东美国进口考夫曼离子源 KDC 系列, 加热灯丝产生电子, 是典型的考夫曼型离子源, 增强设计输出高质量, 稳定的电子流.

详细摘要： 美国 KRI 霍尔离子源 eH 系列紧凑设计, 高电流低能量宽束型离子源, 提供原子等级的细微加工能力, 霍尔离子源 eH 可以有效地以纳米精度来处理薄膜及表面...

详细摘要： KRi 射频离子源 RFICP 220上海伯东代理美国进口 KRI 射频离子源 RFICP 220 高能量栅极离子源, 适用于离子溅镀, 离子沉积和离子蚀刻. ...

详细摘要： 上海伯东美国 KRI 大口径射频离子源 RFICP 380, 3层栅极设计, 栅极口径 38cm, 提供离子动能 100-1200eV 宽束离子束, 套装包含离...

详细摘要： 上海伯东代理美国进口 KRI 霍尔离子源 eH 400 低成本设计提供高离子电流, 霍尔离子源 eH 400 尺寸和离子能量特别适合中小型的真空系统, 可以控制...

详细摘要： 上海伯东代理美国 进口 KRI 霍尔离子源 eH 1000 高效气体利用, 低成本设计提供高离子电流, 特别适合中型真空系统. 通常应用于离子辅助镀膜, 预清洗...

详细摘要： 上海伯东代理美国进口 KRI 考夫曼型离子源 RFICP 100 紧凑设计, 适用于离子溅镀和离子蚀刻. 小尺寸设计但是可以输出 400 mA 离子流. 考夫曼...

详细摘要： 考夫曼离子源 KDC 75 包含2个阴极灯丝, 其中一个作为备用,KDC 75 提供紧密聚焦的电子束特别适合溅射镀膜. 标准配置下离子能量范围 100 至 12...

详细摘要： 离子源 RFICP 40 设计采用创新的栅极技术用于研发和开发应用. 离子源 RFICP 40 无需电离灯丝设计, 适用于通气气体是活性气体时的工业应用. 标准...

详细摘要： KDC 10 离子源低损伤, 宽束设计, 低成本等优点广泛应用在显微镜领域, 标准配置下 KDC 10 离子能量范围 100 至 1200ev, 离子电流可以超...

详细摘要： . 离子源 KDC 40 适用于所有的离子工艺, 例如预清洗, 表面改性, 辅助镀膜, 溅射镀膜, 离子蚀刻和沉积. 离子源 KDC 40 兼容惰性或活性气体,...